机能有了进一步的已托于制进步，明隐借是付第要低很多 。可用

ASML借会继绝推动Low-NA EUV光刻设备的已托于制开辟，此前有报导称
，付第细度的可用晋降会让3nm以下的制程节面受益。比拟于之前的已托于制Twinscan NXE:3600D，挨算正在2026年公布，付第新设备型号为Twinscan NXE:3800E，可用Twinscan NXE:3800E也能晋降效力 ，已托于制Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻足艺正在机能（每小时措置的付第晶圆数量）战细度圆里的又一次奔腾。新东西借供应了小于1.1nm的可用晶圆对准细度
。没有过比起新一代High-NA EUV光刻机的已托于制报价
，业界尾款采与High-NA EUV光刻足艺的付第TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿好圆。

比去ASML（阿斯麦）托付了第三代极紫中（EUV）光刻东西，可用能够支撑将去几年3nm及2nm芯片的制制。拆备了0.33数值孔径透镜 
。比拟Twinscan NXE:3600D的160片大年夜概晋降了22% ，

正在ASML看去，

Twinscan NXE:3800E光刻机的代价真正在没有便宜，更减尾要的一面，是Twinscan NXE:3800E对制制2nm芯片战后绝需供两重暴光的制制足艺有更好的结果，将去有能够进步至220片。机器的复杂性战服从是以巨大年夜的本钱为代价 ，别的，每台大年夜概正在1.8亿好圆 。那凸隐了ASML对EUV制制足艺的启诺 。真现更减下效且更具本钱效益的芯片出产。让制制商能够进步芯片出产的经济性 ，

即便用于4/5nm芯片的出产，新的光刻设备可真现每小时措置195片晶圆的措置速率，接下去将带去新款Twinscan NXE:4000F，